1. 霍山石斛苗的霍山石斛傳承
「大別山葯王」何雲峙老先生所研究的霍山石斛炮製工藝被評為省級非物質文化遺產，經過何雲峙老先生的刻苦研究，使霍山石斛得以大規模的發展。作為安徽省非物質文化遺產 「霍山石斛炮製工藝」第10代傳承人，何雲峙老先生用畢生心血潛心研究，終於形成了霍山石斛不同於其他製造工藝的方法。
2. 霍山石斛的栽培技術
霍山石斛為蘭科多年生附生草本植物，蘭科植物對水分需要量不大，在自然條件下，鐵皮石斛在冬季處於休眠狀態，不需要過高水分。在生長季節，霍山石斛需要潮濕的環境條件，濕度一般在60%—80%。野生石斛在自然條件下，生長在通風的林中，莖健壯，病害少。野生石斛通過根系吸收根際微生物，分解樹桿上的動植物殘體及空氣中的養分，供給自身需求。
由此可見光照、溫度、水分、氣、肥5大因素決定了鐵皮石斛種植的成敗。得出種植鐵皮石斛時，應該在光照、溫度、水分、氣、肥方面注意些什麼。
鐵皮石斛種植應選擇有清潔水源通風的陽坡、半陽坡為宜，種植鐵皮石斛光照一般為漫射光和散射光，光照強度在3000—5000lux。生長溫度要求在8—32℃之間，生長期在25℃左右，高溫季節在通風條件好的情況下可達32℃左右，但時間不能過長。冬季要求在8℃以上，無霜期250—300天以上。
石斛生長發育需要較高的空氣濕度，但又不耐水淹，根際水分過重根系就會腐爛，一般根際周圍的含水量應該在30%左右。石斛種植應該保持良好地通風，通風不良可能會導致莖條細弱，病蟲害嚴重。
選擇環境空氣質量好，周圍無產礦，通風良好的地方，對於鐵皮石斛的生長發育有著極其重要的作用。
此外還得給石斛提供高基質的土壤，施用有機肥能增加土壤中各種糖類。有了糖類，有機物在降解中就能釋放大量能量，土壤微生物的生長、發育、繁殖活動就有了能源。這樣就能為鐵皮石斛提供更多的根際微生物種群，石斛生長的也就越健壯，產量就越高。
3. 米斛冬天怎麼養,溫度要多少度，水能天天澆，放在家還是放在外面好
一.容器選擇口徑大一點底部或周圍有孔的花盆，要求透氣性好，瀝水性好。
二.基質下層用較粗大石塊或磚頭墊底，方便瀝水透氣，中層用較小石子或碎磚頭，盡量選取吸水性較好材質，如陶粒、碎磚，頂層用發酵好松樹皮(需要開水沖一下或煮一下殺毒，也可用代森錳鋅噴灑殺毒)。
三.種植種植石斛時注意盡量不要將苗莖部埋進基質里，基質蓋住大部份根即可，種完後澆透水。
四.關於施肥可用石斛專用緩釋肥均勻酒在松樹皮表面，再用少量樹皮蓋住即可，再澆水一次。
五.種植完成後將鐵皮盆栽放在通風性良好、半遮陽環境中，如光線好的窗檯、無陽光直曬的陽台或遮陽棚內。
注意：盆栽石斛的環境為開放環境時，要把石斛一直放置於陽台大葉植物下方，大葉植物為石斛遮擋過強光線。
霍山米斛在人工瓶苗種植時給它提供養份的為植物培養液，大家種植時需要把培養液洗去，否則會造成爛根爛莖。在洗凈米斛苗根須後需要放在吸水紙上把水分晾乾，這個過程需要3小時左右，為的是讓根部不是那麼脆，防止種植時碰斷碰傷。種植月份每年3月和9月比較有利幼苗生長。
家庭種植霍山米斛的要點
一、溫度： 18-30都可，20-25度之間最適宜 不要放空調房間 但一定要通風，石斛在不通風的地方容易葉片變黃脫落，莖部分萎縮發育不良甚至死亡。
二、濕度： 60-80%為宜 家庭種植時可以在盆景邊放一盆水
三、光照： 夏天早上10點前的陽光和下午5點後的陽光可以曬 冬天可適量多曬一曬，平時注意不要直接照射陽光，放在有陽光散射到的地方即可。
四、水分： 每次燒水一次澆透，平時注意觀察，只要樹皮幹了沒有水分時就要澆一次，平時可以霧化水噴灑葉面。水宜為弱酸性的水，不宜直接用自來水澆。如果用自來水可以在太陽下曬一兩天後再用。對於小苗的正常管理，應保持濕度80%，溫度不可超過35℃，不接受長時間的陽光直射。剛種植的幼苗，一般以兩天澆水一次為宜。 冬季石斛處於休眠狀態，一般無需澆太多水。
五、病蟲害防治
1.病害防治 (1)石斛黑斑病。危害葉片使葉片枯萎，一般3～5月發生，可用50%的多菌靈1000倍液噴霧2～3次。
(2)石斛炭疽病。危害葉片及莖枝，受害葉片出現褐色或黑色病斑，一般1～5月均有發生，可用50%的多菌靈1000倍液或50%的甲基托布津1000倍液噴霧2～3次。
2.蟲害防治 (1)蝸牛。是常見害蟲，它危害幼莖、嫩葉、花蕾和幼果，可用人工捕殺、毒餌誘殺或撒石灰防治。
(2)石斛菲盾蚧。寄生於植株葉片邊緣或背面，吸食汁液，5月下旬為危害孵化盛期。可用40%的樂果乳油1000倍液噴霧殺蟲或集中有菲盾蚧的老枝燒毀。(一種蟲害都是用人工驅除或誘殺，農葯不建議用。)
4. 霍山石斛苗的栽培技術
石斛的繁殖方法分為有性繁殖和無性繁殖兩大類，目前生產上主要採用無性繁殖方法。
1. 有性繁殖即種子繁殖。石斛種子極小，每個蒴果約有20 000粒，呈黃色粉末狀，通常不發芽，只在養分充足、濕度適宜、光照適中的條件下才能萌發生長，一般需在組培室進行培養。不過，盡管石斛繁殖系數極高，但其有性繁殖的成功率極低。
2．無性繁殖
（1）分株繁殖：在春季或秋季進行，以3月底或4月初石斛發芽前為好。選擇長勢良好、無病蟲害、根系發達、萌芽多的1～2年生植株作為種株，將其連根拔起，除去枯枝和斷技，剪掉過長的須根，老根保留3厘米左右，按莖數的多少分成若干叢，每叢須有莖4～5枝，即可作為種莖。
（2）扦插繁殖：在春季或夏季進行，以5～6月為好。選取三年生生長健壯的植株，取其飽滿圓潤的莖段，每段保留4～5個節，長約15～25厘米，插於蛭石或河砂中，深度以莖不倒為度，待其莖上腋芽萌發，長出白色氣生根，即可移栽。一般在選材時，多以上部莖段為主，因其具頂端優勢，成活率高，萌芽數多，生長發育快。
（3）高芽繁殖：多在春季或夏季進行，以夏季為主。三年生以上的石斛植株，每年莖上都要萌發腋芽，也叫高芽，並長出氣生根，成為小苗，當其長到5～7厘米時，即可將其割下進行移栽。
（4）離體組織培養繁殖：金釵石斛可採用下述方法組培快繁試管苗。將金釵石斛的葉片、嫩莖、根經常規消毒後，切成0.5～1厘米作外植體，採用 MS和B5作為基本培養基，並分別附加植物激素如 NAA（0.05～1.5mg/L）、IAA（0.2～1.0mg/L）、6－BA（1.0～5.0mg/L）等不同激素組合的多種培養基，培養基pH5.6～6.0，培養溫度25～28℃，每天光照9～10 小時，光照強度1800～1900lx條件下進行組織培養。19天後，莖葉處出現小芽點，約1個月後，小芽伸長，尖端分叉，2個月後，小芽長成高約2.0～2.7厘米，具4～8個葉片的試管苗。而葉片和根的切段無變化。並發現，在培養基不同配方組合中，MS比B5基本培養基對生長速度具有明顯優勢。 1. 附主選擇石斛為附生植物，附主對其生長影響較大。石斛既不同於糧食作物，也不同於其它經濟作物，糧食作物和經濟作物都是靠主根、側根、須根在土壤中吸收水份和養分，而石斛則是靠裸露在外的氣生根在空氣中吸收養份和水份，糧食和其它作物的載體是土壤，石斛的載體是岩石，礫石或樹干；即石斛的附主既可是岩石、礫石，也可是樹乾等。
若選擇石斛附主（生產地）為岩石或礫石時，則應選砂質岩石或石壁或亂石頭（有葯農稱之為「石旮旯」）之處，並要相對集中，有一定的面積，而且陰暗濕潤，岩石上生長有苔蘚（有葯農稱之為「地簡皮」），周圍有一定闊葉樹作為遮蔭樹的地方作為發展石斛附主進行生產。
若選擇樹干為附主時，則應選樹冠濃密，葉草質或蠟質，皮厚而多縱溝紋，含水分多並常有苔蘚植物生長的闊葉樹種為附主發展石斛生產。
若選擇蔭棚栽培石斛，則應選在較陰濕的樹林下，用磚或石砌成高15厘米的高廂，將腐殖土、細沙和碎石拌勻填入廂內，平整，廂面上搭100～120厘米高的蔭棚進行石斛生產。
石斛通常附生於岩石或樹幹上，對生長環境有特殊的要求，用地栽方法是不能成活的。如把石斛栽培於大樹幹上或石縫中需3～5年後才能旺盛生長，見效緩慢。因此，研究石斛的馴化栽培方法，篩選適合石斛生長的基質對石斛資源恢復相當重要。若將生長在大樹幹上或岩石、石壁、石縫及石礫等環境中的石斛移到地面馴化栽培時，必須具備其適宜的栽培基質。經實驗研究，現己對8種石斛人工栽培基質出進行了比較篩選，結果表明鋸木屑及石灰岩顆粒是最優的栽培材料，為石斛新附主選擇，發展石斛生產開拓了新路。本實驗研究的試驗材料為金釵石斛試驗苗（采自貴州赤水市長沙鎮），栽培用的基質為：① 洋松的鋸木屑；② 木質中葯渣；③ 直徑 1厘米以下的石灰岩顆粒；④ 5 厘米以下的砂頁岩石碎塊；⑤ 石灰岩顆粒加鋸木屑；⑥ 河沙；⑦ 碎磚塊加鋸木屑；⑧ 稻殼。試驗方法與處理：用高約20厘米的舊木箱和磚塊切成大小約 1200～1330 平方厘米的方格，內盛試驗處理的各種基質，於3月初各栽種石斛苗1kg。設重復3次（稻穀殼處理重復2次）。管理方法：主要在4～9月每半月灑施一次含有N、P、K、Ca、Mg、S、Fe、Na、Zn、Cu、Mo、Mn、B等元素的復合營養液。11月連根拔出，抖掉根部基質後，測定產量，並觀察和分析生長情況。結果表明，各栽培基質處理大都存在著顯著差異。與鋸木屑栽培的作比較，除石灰岩顆粒、石灰岩顆粒加鋸木屑2個處理外，都存在著顯著差異。據觀察，鋸木屑栽培的石斛一直生長旺盛；石灰岩顆粒及其加鋸木屑的2個處理也較好；木質中葯渣栽培的石斛前期生長較好，但後來隨著中葯渣的腐爛，出現生長停滯、根系腐爛；砂頁岩碎塊基質的石斛根系生長較緩慢，是造成產量低的原因；其它基質栽培的石斛則一直處於生長不良狀況。
從上研究可見，石斛馴化栽培首要因素是必須提供其根系良好的生長環境。鋸木屑因其疏鬆透氣，又能保持水分及肥料，適合根系生長的要求。石灰岩顆粒加適量鋸木屑或單純的石灰岩顆粒也不失為石斛栽培的較好基質，特別是在長江流域禁伐區，鋸木屑來源受到嚴重影響的情況下，石灰岩顆粒則是石斛栽培的良好材料。另外，稻殼雖似與鋸木屑差異不大而易得，但其實際保水能力極差；河砂栽培石斛也很難長根，均不宜作栽培基質。
2. 選地整地根據不同地區，不同條件，不同品種對質地的要求，栽種石斛時要先進行地塊整理，其基本要求是：在大塊的岩石上栽種石斛時，應在石面上用鑽子按株、行距 30×40厘米的間距打窩，窩深5～10厘米左右。打的石花放在石面上（留著壓根之用），在石面較低一方打一個小出水口，以防積水引起基部腐爛，打窩時應保護好石面上其它部位的苔蘚。在小礫石上栽種石斛時，將地內雜草、雜枝除去，預留好遮蔭樹，將過多過密的小雜樹清除，以利增加透光程度和太陽的斜曬力度。
此外，還可選擇適宜場所進行樹栽、牆栽、盆栽，或種於石縫、岩壁及其人工栽培基質上進行石斛種植。 石斛栽種宜選在春（3～4月）秋（8～9月）季栽種為好，尤以春季栽種比秋季栽種更宜。這主要是充分利用陽春三月，氣候回升，風和日暖，春雨如油，萬物復甦的黃金季節，適宜的溫濕度，日照，雨水等條件，有利於刺激石斛莖基部的腋芽迅速萌發，同時長出供幼芽吸收養份、水份的氣生根，達到先根、後芽的生長目的。秋季種植是利用秋天的適宜溫度（適宜在小陽春前）引發根系生長，但根的質量、數量，長速都不及春季。在濕潤條件滿足，遮蔭條件較好的地方，夏季亦可生長出一部分很、幼芽。栽植前的各項准備工作做好後，即可選擇最佳種植季節大力發展石斛生產。
目前，石斛栽種的方法通常採用有：
1. 貼石栽種法選擇陰濕林下的石縫、石槽有腐殖質處，將分成小叢的石斛種苗的根部，用牛糞泥漿包住，塞入岩石縫或槽內，塞時應力求穩固，以免掉落。或將小叢石斛種苗直接放入已打好的窩內，然後用打窩時的石花均勻的將基部壓實，以風吹不倒力度，將基部和根牢固地固定在石窩內即可。若是在礫石上栽培，其辦法是將種苗平放在礫石上，然後用石塊壓住種苗中下部，基部、頂部裸露在外，仍以風吹不動為度。如栽放種苗的地方有石灰塵，應用水沖或濕布擦凈，以有利於提高成活率。在石面四周種植石斛，可用鑽子打一小窩，事前應踩好鮮牛糞，鮮牛糞中可參入30：l的磷肥，加水踩混，稀濕度以手捏之手指縫中不留水為度，將石斛種苗緊緊貼住小窩，一手抓備好牛糞搭在石斛種苗莖的中下部，使種苗牢固地貼在石頭上，種苗的頂部和基部都要裸露在外。
2. 貼樹栽種法在高山闊葉林中，選擇樹桿粗大、水份較多、樹冠茂盛、樹皮疏鬆、有縱裂溝的常綠樹（如黃桶、烏柏、柿子、油桐、青杠、香樟、楠木、楓楊樹等），在較平而粗的樹干或樹枝凹處或每隔30～50厘米用刀上砍一淺裂口，並剝去一些樹皮，然後將已備好的石斛種苗，用竹釘或繩索將基部固定在樹的裂口處，再用牛糞泥漿（用牛糞與泥漿拌勻）塗抹在其根部及周圍樹皮溝中。為防止風吹動和雨水沖刷，一般應用竹釘釘牢或用竹篾等繩索捆上2圈梆牢，以固定石斛須根和植株於樹干或樹丫上，使其新根長出後沿樹體緊密攀沿生長。在樹上栽種時，應從上而下進行。已枯朽的樹皮不宜栽種。
3. 蔭棚栽種法將小礫石拌小量細砂（焦泥灰和細砂），作為寬40厘米，長120厘米，高17厘米的高畦，將石斛種苗分株後栽於畦內，密度以20×20厘米一窩，在上面蓋7～10厘米厚的細砂或小礫石，壓緊。畦上搭1.7米的蔭棚，向陽面掛一草簾，以利調節溫濕度和通透新鮮空氣，並經常保持畦面的濕潤。 危害霍山石斛的病蟲害種類不多，主要是黑斑病、炭疽病等，應以預防為主。發病初期，用50%多菌靈或50%甲基托布津800倍液噴霧2至3次。蟲害主要是蝸牛，3月至11月都會有蝸牛出現，蠶食石斛的嫩莖葉。防治方法是撒施5%顆粒梅塔（四聚乙醛），每畝一次需撒約一公斤。
霍山石斛是製作工序：分揀整理、清洗攤晾、炒制、揉搓去鞘、繞條加箍、去箍、復火。
5. 霍山石斛的繁殖方法
種子組織培養，從生長健壯的植株上採收的果實，進行組織培養。 分株繁殖，從生長3年以上的母株進行分株繁殖。
6. 霍山石斛苗的生長習性
霍山石斛，屬未進化的的氣生蘭科植物，其生長條件極為苛刻。多生在河澗，溝溪山谷旁峭壁上，常與苔蘚、石葦等植物附生在一起。喜陰涼、濕潤、通風多霧的小氣候。在氣溫14℃時開始生長，氣溫20～26℃、空氣濕度在80%以上最適宜；如氣溫在30℃以上，相對濕度在20%以下時，則葉脈變黃、葉片下垂、莖現皺縮；如崖縫滲水過多則易爛根致死。
7. 霍山石斛作為家庭盆栽如何種植
1 分株繁殖：
選擇生長較密的值株.開過花後.將其從盆中取出，除去老很從叢生莖的基部切開，分切時盡最少傷根系，只掩剪開相互連接的很狀呈部位，根部用手位開，不必用刀切。以主株為一組，再將老根進一步剪除。將新芽靠近盆中央，填入新的基質並壓實，即成新的植株。
2 分芽繁殖：
盆裁3年以上的植株或部分秋石斛莖的頂部或基部長有小植株時，可以進行切芽繁殖。選擇具有3~4片葉，2~3條根，根長4~5厘米的小植株，從母株上切下，用草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口，將苗植入盆中即可。汪意要淺植。栽培2年後一般可開花成為商品花。
3 扦插繁殖：
扦插繁殖可以結合花後換盆和分株時一起進行。石觸蘭多具有細長、帶肉質的莖，莖上有許多節，節上能長芽，所以能用扦播繁殖。選擇未開花且較充實的整做播條，將技條切成數段，每段具2~3個節，在傷口上塗上草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口。將莖一段一段地插入苔蘚和泥炭混合的基質中，一半露在外面，放於半陰、潮濕處。插後1周不必澆水，然後經常噴霧保濕，適當遮陰。經過1~2個月，在節部有新芽長出，新芽下部長出2~3條小根形成新的植株。將新植株連向老莖一起上盆，栽培2~3年可開花。扦插時間以4~8月為好。
8. 如何種植霍山石斛
1 分株繁殖：
選擇生長較密的值株.開過花後.將其從盆中取出，除去老很從叢生莖的基部切開，分切時盡最少傷根系，只掩剪開相互連接的很狀呈部位，根部用手位開，不必用刀切。以主株為一組，再將老根進一步剪除。將新芽靠近盆中央，填入新的基質並壓實，即成新的植株。
2 分芽繁殖：
盆裁3年以上的植株或部分秋石斛莖的頂部或基部長有小植株時，可以進行切芽繁殖。選擇具有3~4片葉，2~3條根，根長4~5厘米的小植株，從母株上切下，用草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口，將苗植入盆中即可。汪意要淺植。栽培2年後一般可開花成為商品花。
3 扦插繁殖：
扦插繁殖可以結合花後換盆和分株時一起進行。石觸蘭多具有細長、帶肉質的莖，莖上有許多節，節上能長芽，所以能用扦播繁殖。選擇未開花且較充實的整做播條，將技條切成數段，每段具2~3個節，在傷口上塗上草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口。將莖一段一段地插入苔蘚和泥炭混合的基質中，一半露在外面，放於半陰、潮濕處。插後1周不必澆水，然後經常噴霧保濕，適當遮陰。經過1~2個月，在節部有新芽長出，新芽下部長出2~3條小根形成新的植株。將新植株連向老莖一起上盆，栽培2~3年可開花。扦插時間以4~8月為好。
注意事項
栽培石斛通常選用四壁多孔的塑料或陶瓷花盆，用松樹皮塊、花生殼、鋸末、木炭塊等作盆栽材料。根據石斛苗的大小，選擇不同規格的花盆，但不宜用大盆栽小苗口上述栽好材料在使用前必需在清水中浸泡1天以上備用。盆底要多墊大瓦片或碎磚塊，深度至盆底約1/3處，然後將石斛苗放於盆中央，並在一旁插一細竹竿以固定石斛苗，再填入其他栽培材料，注意根與根之間用材料隔開，輕輕將材料壓緊口栽好的蘭盆先放在陰涼陰涼並有散射光處，僅向葉面上噴些水，勿向盆內澆水。約10~15天後，待萌發出新根後兩移至陰棚下養護。生長季節澆水要干濕相間保持適度干薄餅肥水。生長旺盛期樹每天澆水一次，乾旱季節和炎夏還需經常在花盆四周地面上噴水，以保持較高的空氣濕度，並要注意通風良好。冬季休眠期應少澆水。石斛忌強光直射，春秋兩季早上可見陽光，冬季可置光照充足處，其他時間置於具有明亮散射光而又通風的地方。越冬溫度保持在8~10℃即可。
9. 在家中如何種植霍山石斛
1 分株繁殖：
選擇生長較密的值株.開過花後.將其從盆中取出，除去老很從叢生莖的基部切開，分切時盡最少傷根系，只掩剪開相互連接的很狀呈部位，根部用手位開，不必用刀切。以主株為一組，再將老根進一步剪除。將新芽靠近盆中央，填入新的基質並壓實，即成新的植株。
2 分芽繁殖：
盆裁3年以上的植株或部分秋石斛莖的頂部或基部長有小植株時，可以進行切芽繁殖。選擇具有3~4片葉，2~3條根，根長4~5厘米的小植株，從母株上切下，用草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口，將苗植入盆中即可。汪意要淺植。栽培2年後一般可開花成為商品花。
3 扦插繁殖：
扦插繁殖可以結合花後換盆和分株時一起進行。石觸蘭多具有細長、帶肉質的莖，莖上有許多節，節上能長芽，所以能用扦播繁殖。選擇未開花且較充實的整做播條，將技條切成數段，每段具2~3個節，在傷口上塗上草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口。將莖一段一段地插入苔蘚和泥炭混合的基質中，一半露在外面，放於半陰、潮濕處。插後1周不必澆水，然後經常噴霧保濕，適當遮陰。經過1~2個月，在節部有新芽長出，新芽下部長出2~3條小根形成新的植株。將新植株連向老莖一起上盆，栽培2~3年可開花。扦插時間以4~8月為好。
END
注意事項
栽培石斛通常選用四壁多孔的塑料或陶瓷花盆，用松樹皮塊、花生殼、鋸末、木炭塊等作盆栽材料。根據石斛苗的大小，選擇不同規格的花盆，但不宜用大盆栽小苗口上述栽好材料在使用前必需在清水中浸泡1天以上備用。盆底要多墊大瓦片或碎磚塊，深度至盆底約1/3處，然後將石斛苗放於盆中央，並在一旁插一細竹竿以固定石斛苗，再填入其他栽培材料，注意根與根之間用材料隔開，輕輕將材料壓緊口栽好的蘭盆先放在陰涼陰涼並有散射光處，僅向葉面上噴些水，勿向盆內澆水。約10~15天後，待萌發出新根後兩移至陰棚下養護。生長季節澆水要干濕相間保持適度干薄餅肥水。生長旺盛期樹每天澆水一次，乾旱季節和炎夏還需經常在花盆四周地面上噴水，以保持較高的空氣濕度，並要注意通風良好。冬季休眠期應少澆水。石斛忌強光直射，春秋兩季早上可見陽光，冬季可置光照充足處，其他時間置於具有明亮散射光而又通風的地方。越冬溫度保持在8~10℃即可。