你好！
霍山石斛不需要什麼土壤，它生長在岩石縫隙上面。
條件：要有水、碎屑木、石子，注意通風，下面有圖片是【霍真堂】的霍山石斛盆栽種植方法。
希望我的回答對您有所幫助，望採納！
『貳』 霍山米斛種植技術，需要注意哪些細節，請有經驗的朋友給個參考，謝謝!
霍山石斛，為蘭科石斛屬多年生草本植物。莖直立，淡綠色，有節，有縱向淺溝紋。葉革質，長條形或橢圓形。總狀花序，花較大，白色有紫暈，開花多但能結果的極少數。果實為蒴果，每果約有種子100萬粒。種子小如粉塵，粒重約0.3～0.4 mg；自然條件下的種子發芽率不到5％。霍山石斛生長發育十分緩慢，對環境條件要求十分嚴格，因此有性繁殖困難，分株是人工繁殖的主要方式。
霍山石斛主要生長在熱帶、亞熱帶原始森林，及相類似的溫暖濕潤的環境；喜溫暖，忌寒冷，喜濕潤，忌乾燥，宜在通風良好、疏鬆排水、富含腐殖質的基質上生長，自然狀態下多附生於大的樹干或岩石，所需的生長條件十分苛刻。最適宜生長的環境條件，溫度為20～25℃，年積溫2070℃以上，光照為2萬Lux左右，空氣相對濕度為70％以上。霍山石斛的根，發育成熟後的結構十分罕見，無根毛；皮層細胞可完全發育演變為由羽狀纖維狀物質組成的海綿層，既能吸收和貯備一定的水分，又能通透空氣。霍山石斛栽培，除了適宜的光、溫、水分條件外，有無適宜於根生長的環境，通常是決定其成敗的關鍵因素。現將其霍山石斛種植技術介紹如下。
一、霍山石斛種植地選擇
選擇通風良好的針葉林(馬尾松)、闊葉林或針闊混交林的疏林地；郁閉度0.4～0.6；海拔400～600 m；坡度不大於20。；坡向可選東向、東南向、南向或全坡，以東南向的坡谷地為最好。林地郁閉度如小於0.4，應進行人工補植闊葉樹大苗或搭建遮蔭棚。郁閉度較大的林地，可適當疏伐，不建議過多採伐林木。
二、霍山石斛的整地做床
沿等高線方向修築梯地。梯地寬度根據地勢而定。先平整土地，清除雜草、樹根。整地後進行鎮壓。梯地外沿築20 cm高的石堤。栽植床寬2 m，步道寬30 cm。平整的床基上鋪20 cm厚的碎石層，作為霍山石斛栽培基質。
三、霍山石斛的栽培基質
選擇吸水性較好的微酸性岩石作栽培基質。組培苗栽植床的基質石顆粒直徑為0.5 cm左右。大苗栽植床的
基質石顆粒直徑為11.5 cm。基質應沖洗干凈待用。
四、霍山石斛的苗木栽植
1、組培苗栽植
3月份栽植。栽植床用0.5％的高錳酸鉀溶液噴霧消毒。栽植時，將組培苗植入基質內，株行距3 cm～3 cm左右，1 m2栽800～1 000株。
2、大苗分栽
3月份栽植。栽植時將大苗分株，沿合軸部位分開，3-4根莖為1叢，植入已消毒的栽植床；保持根的舒展(不能擠壓)，與基質充分接觸(不能懸根)。株行距10 cm×10 cm～15 cmxl5 cm。每平方米栽80～100株。
五、霍山石斛的栽後管理
1、環境管理
霍山石斛適宜生長的環境條件中，以光照和溫濕度最為重要。林下栽培雖然具備良好環境條件，但仍應加強栽後管理，主要是建遮蔭棚，夏季日照強烈時進行遮蔭，保持通風良好。濕度管理主要是進行增濕，可在林地的上風口修建增濕水巢(還可用作配製肥料的容器)。霍山石斛生長還需要伴生植物。種植地周圍應種植石斛伴生植物，以促進霍山石斛良好生長，提高產量和品質。
2、水肥管理
霍山石斛生長需要適當的水分和養分，而石質栽培基質並沒有養分，因此需人工供給。霍山石斛所需肥料，以腐熟的有機肥為主，宜淡不宜濃。施肥應少量勤施，10月份後不再施肥。水分來源主要是自然降雨和空氣濕度，一般不需灌溉，遇特殊乾旱可進行人工噴霧增濕。
六、霍山石斛的採收
組培苗經練苗後再進行兩次分栽，到第七年就可以採收，而大苗移栽的一般第三年就可以採收。霍山石斛進入收獲期後，可連年採收，採收期可達數十年。霍山石斛採收在10～l1月份進行。呈綠褐色，且葉子自然落完的莖為成熟莖。成熟莖從根部剪下，1平方米可採收鮮莖50～100g。鮮霍山石斛加工的成品，主要有「龍頭鳳尾」和「霍楓斗」，素有「千金草」和「軟黃金」之稱，是石斛中的上品
『叄』 有清楚霍山石斛種植方法么有過相關了解沒
只有康順堂霍山石斛，是人工栽培的，而且採用的是優良的品種呢。不得不說，選擇這家的石斛，進而購買，覺得不錯 。
『肆』 如何種植霍山石斛
1 分株繁殖：
選擇生長較密的值株.開過花後.將其從盆中取出，除去老很從叢生莖的基部切開，分切時盡最少傷根系，只掩剪開相互連接的很狀呈部位，根部用手位開，不必用刀切。以主株為一組，再將老根進一步剪除。將新芽靠近盆中央，填入新的基質並壓實，即成新的植株。
2 分芽繁殖：
盆裁3年以上的植株或部分秋石斛莖的頂部或基部長有小植株時，可以進行切芽繁殖。選擇具有3~4片葉，2~3條根，根長4~5厘米的小植株，從母株上切下，用草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口，將苗植入盆中即可。汪意要淺植。栽培2年後一般可開花成為商品花。
3 扦插繁殖：
扦插繁殖可以結合花後換盆和分株時一起進行。石觸蘭多具有細長、帶肉質的莖，莖上有許多節，節上能長芽，所以能用扦播繁殖。選擇未開花且較充實的整做播條，將技條切成數段，每段具2~3個節，在傷口上塗上草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口。將莖一段一段地插入苔蘚和泥炭混合的基質中，一半露在外面，放於半陰、潮濕處。插後1周不必澆水，然後經常噴霧保濕，適當遮陰。經過1~2個月，在節部有新芽長出，新芽下部長出2~3條小根形成新的植株。將新植株連向老莖一起上盆，栽培2~3年可開花。扦插時間以4~8月為好。
注意事項
栽培石斛通常選用四壁多孔的塑料或陶瓷花盆，用松樹皮塊、花生殼、鋸末、木炭塊等作盆栽材料。根據石斛苗的大小，選擇不同規格的花盆，但不宜用大盆栽小苗口上述栽好材料在使用前必需在清水中浸泡1天以上備用。盆底要多墊大瓦片或碎磚塊，深度至盆底約1/3處，然後將石斛苗放於盆中央，並在一旁插一細竹竿以固定石斛苗，再填入其他栽培材料，注意根與根之間用材料隔開，輕輕將材料壓緊口栽好的蘭盆先放在陰涼陰涼並有散射光處，僅向葉面上噴些水，勿向盆內澆水。約10~15天後，待萌發出新根後兩移至陰棚下養護。生長季節澆水要干濕相間保持適度干薄餅肥水。生長旺盛期樹每天澆水一次，乾旱季節和炎夏還需經常在花盆四周地面上噴水，以保持較高的空氣濕度，並要注意通風良好。冬季休眠期應少澆水。石斛忌強光直射，春秋兩季早上可見陽光，冬季可置光照充足處，其他時間置於具有明亮散射光而又通風的地方。越冬溫度保持在8~10℃即可。
『伍』 霍山石斛苗的栽培技術
石斛的繁殖方法分為有性繁殖和無性繁殖兩大類，目前生產上主要採用無性繁殖方法。
1. 有性繁殖即種子繁殖。石斛種子極小，每個蒴果約有20 000粒，呈黃色粉末狀，通常不發芽，只在養分充足、濕度適宜、光照適中的條件下才能萌發生長，一般需在組培室進行培養。不過，盡管石斛繁殖系數極高，但其有性繁殖的成功率極低。
2．無性繁殖
（1）分株繁殖：在春季或秋季進行，以3月底或4月初石斛發芽前為好。選擇長勢良好、無病蟲害、根系發達、萌芽多的1～2年生植株作為種株，將其連根拔起，除去枯枝和斷技，剪掉過長的須根，老根保留3厘米左右，按莖數的多少分成若干叢，每叢須有莖4～5枝，即可作為種莖。
（2）扦插繁殖：在春季或夏季進行，以5～6月為好。選取三年生生長健壯的植株，取其飽滿圓潤的莖段，每段保留4～5個節，長約15～25厘米，插於蛭石或河砂中，深度以莖不倒為度，待其莖上腋芽萌發，長出白色氣生根，即可移栽。一般在選材時，多以上部莖段為主，因其具頂端優勢，成活率高，萌芽數多，生長發育快。
（3）高芽繁殖：多在春季或夏季進行，以夏季為主。三年生以上的石斛植株，每年莖上都要萌發腋芽，也叫高芽，並長出氣生根，成為小苗，當其長到5～7厘米時，即可將其割下進行移栽。
（4）離體組織培養繁殖：金釵石斛可採用下述方法組培快繁試管苗。將金釵石斛的葉片、嫩莖、根經常規消毒後，切成0.5～1厘米作外植體，採用 MS和B5作為基本培養基，並分別附加植物激素如 NAA（0.05～1.5mg/L）、IAA（0.2～1.0mg/L）、6－BA（1.0～5.0mg/L）等不同激素組合的多種培養基，培養基pH5.6～6.0，培養溫度25～28℃，每天光照9～10 小時，光照強度1800～1900lx條件下進行組織培養。19天後，莖葉處出現小芽點，約1個月後，小芽伸長，尖端分叉，2個月後，小芽長成高約2.0～2.7厘米，具4～8個葉片的試管苗。而葉片和根的切段無變化。並發現，在培養基不同配方組合中，MS比B5基本培養基對生長速度具有明顯優勢。 1. 附主選擇石斛為附生植物，附主對其生長影響較大。石斛既不同於糧食作物，也不同於其它經濟作物，糧食作物和經濟作物都是靠主根、側根、須根在土壤中吸收水份和養分，而石斛則是靠裸露在外的氣生根在空氣中吸收養份和水份，糧食和其它作物的載體是土壤，石斛的載體是岩石，礫石或樹干；即石斛的附主既可是岩石、礫石，也可是樹乾等。
若選擇石斛附主（生產地）為岩石或礫石時，則應選砂質岩石或石壁或亂石頭（有葯農稱之為「石旮旯」）之處，並要相對集中，有一定的面積，而且陰暗濕潤，岩石上生長有苔蘚（有葯農稱之為「地簡皮」），周圍有一定闊葉樹作為遮蔭樹的地方作為發展石斛附主進行生產。
若選擇樹干為附主時，則應選樹冠濃密，葉草質或蠟質，皮厚而多縱溝紋，含水分多並常有苔蘚植物生長的闊葉樹種為附主發展石斛生產。
若選擇蔭棚栽培石斛，則應選在較陰濕的樹林下，用磚或石砌成高15厘米的高廂，將腐殖土、細沙和碎石拌勻填入廂內，平整，廂面上搭100～120厘米高的蔭棚進行石斛生產。
石斛通常附生於岩石或樹幹上，對生長環境有特殊的要求，用地栽方法是不能成活的。如把石斛栽培於大樹幹上或石縫中需3～5年後才能旺盛生長，見效緩慢。因此，研究石斛的馴化栽培方法，篩選適合石斛生長的基質對石斛資源恢復相當重要。若將生長在大樹幹上或岩石、石壁、石縫及石礫等環境中的石斛移到地面馴化栽培時，必須具備其適宜的栽培基質。經實驗研究，現己對8種石斛人工栽培基質出進行了比較篩選，結果表明鋸木屑及石灰岩顆粒是最優的栽培材料，為石斛新附主選擇，發展石斛生產開拓了新路。本實驗研究的試驗材料為金釵石斛試驗苗（采自貴州赤水市長沙鎮），栽培用的基質為：① 洋松的鋸木屑；② 木質中葯渣；③ 直徑 1厘米以下的石灰岩顆粒；④ 5 厘米以下的砂頁岩石碎塊；⑤ 石灰岩顆粒加鋸木屑；⑥ 河沙；⑦ 碎磚塊加鋸木屑；⑧ 稻殼。試驗方法與處理：用高約20厘米的舊木箱和磚塊切成大小約 1200～1330 平方厘米的方格，內盛試驗處理的各種基質，於3月初各栽種石斛苗1kg。設重復3次（稻穀殼處理重復2次）。管理方法：主要在4～9月每半月灑施一次含有N、P、K、Ca、Mg、S、Fe、Na、Zn、Cu、Mo、Mn、B等元素的復合營養液。11月連根拔出，抖掉根部基質後，測定產量，並觀察和分析生長情況。結果表明，各栽培基質處理大都存在著顯著差異。與鋸木屑栽培的作比較，除石灰岩顆粒、石灰岩顆粒加鋸木屑2個處理外，都存在著顯著差異。據觀察，鋸木屑栽培的石斛一直生長旺盛；石灰岩顆粒及其加鋸木屑的2個處理也較好；木質中葯渣栽培的石斛前期生長較好，但後來隨著中葯渣的腐爛，出現生長停滯、根系腐爛；砂頁岩碎塊基質的石斛根系生長較緩慢，是造成產量低的原因；其它基質栽培的石斛則一直處於生長不良狀況。
從上研究可見，石斛馴化栽培首要因素是必須提供其根系良好的生長環境。鋸木屑因其疏鬆透氣，又能保持水分及肥料，適合根系生長的要求。石灰岩顆粒加適量鋸木屑或單純的石灰岩顆粒也不失為石斛栽培的較好基質，特別是在長江流域禁伐區，鋸木屑來源受到嚴重影響的情況下，石灰岩顆粒則是石斛栽培的良好材料。另外，稻殼雖似與鋸木屑差異不大而易得，但其實際保水能力極差；河砂栽培石斛也很難長根，均不宜作栽培基質。
2. 選地整地根據不同地區，不同條件，不同品種對質地的要求，栽種石斛時要先進行地塊整理，其基本要求是：在大塊的岩石上栽種石斛時，應在石面上用鑽子按株、行距 30×40厘米的間距打窩，窩深5～10厘米左右。打的石花放在石面上（留著壓根之用），在石面較低一方打一個小出水口，以防積水引起基部腐爛，打窩時應保護好石面上其它部位的苔蘚。在小礫石上栽種石斛時，將地內雜草、雜枝除去，預留好遮蔭樹，將過多過密的小雜樹清除，以利增加透光程度和太陽的斜曬力度。
此外，還可選擇適宜場所進行樹栽、牆栽、盆栽，或種於石縫、岩壁及其人工栽培基質上進行石斛種植。 石斛栽種宜選在春（3～4月）秋（8～9月）季栽種為好，尤以春季栽種比秋季栽種更宜。這主要是充分利用陽春三月，氣候回升，風和日暖，春雨如油，萬物復甦的黃金季節，適宜的溫濕度，日照，雨水等條件，有利於刺激石斛莖基部的腋芽迅速萌發，同時長出供幼芽吸收養份、水份的氣生根，達到先根、後芽的生長目的。秋季種植是利用秋天的適宜溫度（適宜在小陽春前）引發根系生長，但根的質量、數量，長速都不及春季。在濕潤條件滿足，遮蔭條件較好的地方，夏季亦可生長出一部分很、幼芽。栽植前的各項准備工作做好後，即可選擇最佳種植季節大力發展石斛生產。
目前，石斛栽種的方法通常採用有：
1. 貼石栽種法選擇陰濕林下的石縫、石槽有腐殖質處，將分成小叢的石斛種苗的根部，用牛糞泥漿包住，塞入岩石縫或槽內，塞時應力求穩固，以免掉落。或將小叢石斛種苗直接放入已打好的窩內，然後用打窩時的石花均勻的將基部壓實，以風吹不倒力度，將基部和根牢固地固定在石窩內即可。若是在礫石上栽培，其辦法是將種苗平放在礫石上，然後用石塊壓住種苗中下部，基部、頂部裸露在外，仍以風吹不動為度。如栽放種苗的地方有石灰塵，應用水沖或濕布擦凈，以有利於提高成活率。在石面四周種植石斛，可用鑽子打一小窩，事前應踩好鮮牛糞，鮮牛糞中可參入30：l的磷肥，加水踩混，稀濕度以手捏之手指縫中不留水為度，將石斛種苗緊緊貼住小窩，一手抓備好牛糞搭在石斛種苗莖的中下部，使種苗牢固地貼在石頭上，種苗的頂部和基部都要裸露在外。
2. 貼樹栽種法在高山闊葉林中，選擇樹桿粗大、水份較多、樹冠茂盛、樹皮疏鬆、有縱裂溝的常綠樹（如黃桶、烏柏、柿子、油桐、青杠、香樟、楠木、楓楊樹等），在較平而粗的樹干或樹枝凹處或每隔30～50厘米用刀上砍一淺裂口，並剝去一些樹皮，然後將已備好的石斛種苗，用竹釘或繩索將基部固定在樹的裂口處，再用牛糞泥漿（用牛糞與泥漿拌勻）塗抹在其根部及周圍樹皮溝中。為防止風吹動和雨水沖刷，一般應用竹釘釘牢或用竹篾等繩索捆上2圈梆牢，以固定石斛須根和植株於樹干或樹丫上，使其新根長出後沿樹體緊密攀沿生長。在樹上栽種時，應從上而下進行。已枯朽的樹皮不宜栽種。
3. 蔭棚栽種法將小礫石拌小量細砂（焦泥灰和細砂），作為寬40厘米，長120厘米，高17厘米的高畦，將石斛種苗分株後栽於畦內，密度以20×20厘米一窩，在上面蓋7～10厘米厚的細砂或小礫石，壓緊。畦上搭1.7米的蔭棚，向陽面掛一草簾，以利調節溫濕度和通透新鮮空氣，並經常保持畦面的濕潤。 危害霍山石斛的病蟲害種類不多，主要是黑斑病、炭疽病等，應以預防為主。發病初期，用50%多菌靈或50%甲基托布津800倍液噴霧2至3次。蟲害主要是蝸牛，3月至11月都會有蝸牛出現，蠶食石斛的嫩莖葉。防治方法是撒施5%顆粒梅塔（四聚乙醛），每畝一次需撒約一公斤。
霍山石斛是製作工序：分揀整理、清洗攤晾、炒制、揉搓去鞘、繞條加箍、去箍、復火。
『陸』 石斛怎麼種植
1、分株繁殖：選擇生長較密的值株.開過花後.將其從盆中取出，除去老很從叢生莖的基部切開，分切時盡最少傷根系，只掩剪開相互連接的很狀呈部位，根部用手位開，不必用刀切。以主株為一組，再將老根進一步剪除。將新芽靠近盆中央，填入新的基質並壓實，即成新的植株。
2、分芽繁殖：盆裁3年以上的植株或部分秋石斛莖的頂部或基部長有小植株時，可以進行切芽繁殖。選擇具有3~4片葉，2~3條根，根長4~5厘米的小植株，從母株上切下，用草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口，將苗植入盆中即可。汪意要淺植。栽培2年後一般可開花成為商品花。
3、扦插繁殖：扦插繁殖可以結合花後換盆和分株時一起進行。石觸蘭多具有細長、帶肉質的莖，莖上有許多節，節上能長芽，所以能用扦播繁殖。選擇未開花且較充實的整做播條，將技條切成數段，每段具2~3個節，在傷口上塗上草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口。將莖一段一段地插入苔蘚和泥炭混合的基質中，一半露在外面，放於半陰、潮濕處。插後1周不必澆水，然後經常噴霧保濕，適當遮陰。經過1~2個月，在節部有新芽長出，新芽下部長出2~3條小根形成新的植株。將新植株連向老莖一起上盆，栽培2~3年可開花。扦插時間以4~8月為好。
4、栽培石斛通常選用四壁多孔的塑料或陶瓷花盆，用碳根、泥炭蘚、樹皮塊、木炭塊等作盆栽材料。根據蘭苗的大小，選擇不同規格的花盆，但不宜用大盆栽小苗口上述栽好材料在使用前必需在清水中浸泡1天以上備用。盆底要多墊大瓦片或碎磚塊，深度至盆底約1/3處，然後將蘭苗放於盆中央，並在一旁插一細竹竿以固定蘭苗，再填入其他栽培材料，注意根與根之間用材料隔開，輕輕將材料壓緊口栽好的蘭盆先放在陰涼陰涼並有散射光處，僅向葉面上噴些水，勿向盆內澆水。約10~15天後，待萌發出新根後兩移至陰棚下養護。生長季節澆水要干濕相間保持適度干薄餅肥水。生長旺盛期樹每天澆水一次，乾旱季節和炎夏還需經常在花盆四周地面上噴水，以保持較高的空氣濕度，並要注意通風良好。冬季休眠期應少澆水。石斛忌強光直射，春秋兩季早上可見陽光，冬季可置光照充足處，其他時間置於具有明亮散射光而又通風的地方。越冬溫度保持在8~10℃即可。
『柒』 霍山石斛的栽培技術
霍山石斛為蘭科多年生附生草本植物，蘭科植物對水分需要量不大，在自然條件下，鐵皮石斛在冬季處於休眠狀態，不需要過高水分。在生長季節，霍山石斛需要潮濕的環境條件，濕度一般在60%—80%。野生石斛在自然條件下，生長在通風的林中，莖健壯，病害少。野生石斛通過根系吸收根際微生物，分解樹桿上的動植物殘體及空氣中的養分，供給自身需求。
由此可見光照、溫度、水分、氣、肥5大因素決定了鐵皮石斛種植的成敗。得出種植鐵皮石斛時，應該在光照、溫度、水分、氣、肥方面注意些什麼。
鐵皮石斛種植應選擇有清潔水源通風的陽坡、半陽坡為宜，種植鐵皮石斛光照一般為漫射光和散射光，光照強度在3000—5000lux。生長溫度要求在8—32℃之間，生長期在25℃左右，高溫季節在通風條件好的情況下可達32℃左右，但時間不能過長。冬季要求在8℃以上，無霜期250—300天以上。
石斛生長發育需要較高的空氣濕度，但又不耐水淹，根際水分過重根系就會腐爛，一般根際周圍的含水量應該在30%左右。石斛種植應該保持良好地通風，通風不良可能會導致莖條細弱，病蟲害嚴重。
選擇環境空氣質量好，周圍無產礦，通風良好的地方，對於鐵皮石斛的生長發育有著極其重要的作用。
此外還得給石斛提供高基質的土壤，施用有機肥能增加土壤中各種糖類。有了糖類，有機物在降解中就能釋放大量能量，土壤微生物的生長、發育、繁殖活動就有了能源。這樣就能為鐵皮石斛提供更多的根際微生物種群，石斛生長的也就越健壯，產量就越高。
『捌』 石斛植物種植要求及方法
石斛喜在溫暖、潮濕、半陰半陽的環境中生長，以年降雨量1000毫米以上、空氣濕度大於80%、 1月平均氣溫高於8℃的亞熱帶深山老林中生長為佳，對土肥要求不甚嚴格，野生多在疏鬆且厚的樹皮或樹幹上生長，有的也生長於石縫中。
每年春末夏初，二年生莖上部節上抽出花序，開花後從莖基長出新芽發育成莖，秋冬季節進人休眠期。
栽培技術
1.選地、整地 根據其生長習性，石斛栽培地宜選半陰半陽的環境，空氣醫`學教育網搜集整理濕度在80%以上，冬季氣溫在0℃以上地區。人工可控環境也可，樹種應以黃桷樹、梨樹、樟樹等且應樹皮厚有縱溝、含水多、枝葉茂、樹干粗大的活樹，石塊地也應在陰涼、濕潤地區，石塊上應有苔蘚生長及表面有少量腐殖質。
2.繁殖方法 主要採用分株繁殖法。
石斛種植一般在春季進行，因春季濕度大、降雨量漸大，種植易醫`學教育網搜集整理成活。選擇健壯、無病蟲害的石斛，剪去3年以上的老莖作葯用，二年生新莖作繁殖用。繁殖時減去過長老根，留2-3厘米，將種蔸分開，每克含2-3個莖，然後栽植，可採取貼石栽植和貼樹栽植法。
（1）貼石栽植 在選好的石塊上，按30厘米的株距鑿出凹穴，用牛糞拌稀泥除一薄層於種蔸處塞人石穴或石槽，力求穩固不使脫落即可，可塞小石塊固定。
（2）貼樹栽植 在選好的樹上，按30-40厘米在樹上砍去一部分樹皮將種蔸塗一薄層牛糞與泥漿混合物，然後塞入破皮處或樹縱裂溝處貼緊樹皮，再覆一層稻草，用竹蔑捆好。
3.田間管理
（1）澆水 石斛栽植後期空氣濕度過小要經常澆水保濕，可用噴霧器以噴霧的形式澆水。
（2）追肥 石斛生長地貧瘠應注意追肥，第一次在清明前後，以氮肥混合豬牛糞及河泥為主。第二次在立冬前後用花生鼓、菜籽餅、過磷酸鈣等加入河泥調勻糊在根部，此外尚可根外追肥。
（3）調整郁閉度 石斛生長地的都閉度在60%左右，因此要經常醫`學教育網搜集整理對附生樹進行整枝修剪，以免過於蔭蔽或郁閉度不夠。
（4）整枝 每年春天前發新整時，結合採收老莖將叢內的枯莖剪除，並除去病莖、弱莖以及病者根，栽種6-8年後視叢蔸生長情況翻蔸重新分枝繁殖。
4.病蟲害防治
（l）石斛黑斑病 為害葉片使葉片枯萎，3-5月發生。防治方法：可用50%的多菌靈l000倍液噴霧l-2次。
（2）石斛炭疽病 為害葉片及莖枝，受害葉片出現褐色或黑色病醫`學教育網搜集整理斑，1-5月均有發生。防治方法：用50%多菌靈l000倍液或50%甲基托布津1000倍液噴霧2-3次。
（3）石斛菲盾蚧 寄生於植株葉片邊緣或背面，吸食汁液，5月下旬為孵化盛期。防治方法：可用40%樂果乳劑 1000倍液噴霧殺滅或集中有盾殼老枝集中燒毀。
（四）採收加工
1.採收 每年春末萌芽前採收，採收時剪下三年生以上醫`學教育網搜集整理的莖枝，留下嫩莖讓其繼續生長。
2.加工 因品種和商品葯材不同，有木同加工方法，以下介紹兩種方法：
（l）將採回的莖株洗盡泥沙，去掉葉片及須根，分出單莖株，放入85℃熱水燙l- 2分鍾，撈起，攤在竹席或水泥場上暴曬，曬至5成干時，用手搓去鞘膜質，再攤曬，並注意常翻動，至足干即可。
（2）也可將洗盡的石斛放入沸水中浸燙5分鍾，撈出晾乾，置醫`學教育網搜集整理竹席上暴曬，每天翻動2-3次，曬至身軟時，邊曬邊搓，反復多次至去凈殘存葉鞘，然後曬至足干即可。
鐵皮石斛栽培技術
鐵皮石斛栽培技術可以分為選附主、繁殖、田間管理、防治病蟲等四個方面。
1.選附主 樹栽選樹皮厚、水分多、樹冠茂密、樹皮有縱溝的闊葉樹種；石栽選地粗糙、易吸潮、表面附著腐殖土或苔蘚的石塊；蔭棚栽培，選擇在較陰濕樹林下，用磚或石砌成高15cm的高廂，將腐殖土、細砂和碎石拌勻填入廂內，廂面上搭100～120cm高的蔭棚。
2.繁殖 可用分株扦插和高芽繁殖，以分株繁殖為主。選擇1年生或2年生、色澤嫩綠、萌發多、根系發達、無病蟲害的植株作種株，剪去過長的須根，將株叢切開，分成小叢，每叢有5～7根帶葉莖株，即可種植。
3.田間管理
3.1 除草施肥
每年應除草兩次，通常於每年春分至清明和立冬前後進行，除醫`學教育網搜集整理去雜草和枯枝落葉，結合除草進行追肥。
3.2 調節蔭蔽度
貼樹栽培的，應在冬春適時剪去附主植株過密的枝條；蔭棚栽培的，冬季應揭開蔭棚，以透光。
3.3 修枝
每年春季發芽時或採收時，應剪去部分老枝或枯枝，以及生長過密的莖枝，促進新芽生長。
3.4 翻兜
根據生長情況進行翻兜，除去枯根、老根，進行分株，另醫`學教育網搜集整理行栽培，促進種植生長。
4.病蟲害防治
常見害蟲是蝸牛，它危害幼莖、嫩葉、花蕾和幼果，可用人工捕殺、毒餌誘殺或撒石灰防治。
關於鐵皮石斛繁殖的研究在國內已取得一定進展，但是如何將無菌苗移栽到自然環境是一大難題。有人提出的種子伴菌法對解決這個問題很有用，即利用真菌與根系的共生特點，尋找有利於種子萌發的真菌，使種子在萌發後有良好的微環境，有利醫`學教育網搜集整理於壯苗和移植。
『玖』 米斛盆栽的種植方法
基質
栽培基質為花崗片麻岩，石層厚度大於20厘米，岩石呈微酸性，pH值在5.0至6.5之間。組培苗栽種密度不大於1000株/平方米；分株栽植密度不大於500株/平方米。
澆水
霍山石斛栽植後首次澆水一定要澆透，次日還要重澆一次，讓樹皮吃透水分，平時表面幹了，用噴霧器噴濕盆面，如安裝噴灌則更方便，植料表面幹了即可噴霧。在炎熱乾燥的季節，經常向葉面和地面噴水，以增加空氣濕度。如水分過多、汲水，植株容易爛根致死。如遇乾旱天氣，及時灌水。
肥料
霍山石斛施肥分有機肥和無機肥，以有機肥為主體基肥，生長期配合噴施頁面肥，有機肥主要有蠶糞、羊糞、餅肥等；無機肥有控釋肥和水溶液肥（含有氮磷鉀成分等）。水溶液肥第一次在清明前後施用，以後每隔10天噴一次，直到8月；控釋肥4月初和6月各施一次，立秋後每10天噴一次3‰磷酸二氫鉀，共噴3至5次。
溫度
霍山石斛氣溫在14℃時開始生長；氣溫為20℃至28℃、空氣濕度在70%以上最適宜生長；氣溫在32℃以上、相對溫度在20%以下時，則部分葉脈變黃、葉片下垂。
遮陰
霍山石斛適宜生長在半陰半陽的地方，尤其怕暴曬，夏季和秋季需用兩層90%的遮陽網遮陽，其他季節均用一層遮陽網。
防凍
人工栽培的霍山石斛在江淮地區冬季需防凍，尤其是當年栽植的試管苗，除建大棚防凍外，還要蓋一層土帆布覆蓋苗床，一般在12月中旬至次年2月下旬覆蓋。冬季苗不能太濕，以防結冰，損傷根系。
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『拾』 在家中如何種植霍山石斛
1 分株繁殖：
選擇生長較密的值株.開過花後.將其從盆中取出，除去老很從叢生莖的基部切開，分切時盡最少傷根系，只掩剪開相互連接的很狀呈部位，根部用手位開，不必用刀切。以主株為一組，再將老根進一步剪除。將新芽靠近盆中央，填入新的基質並壓實，即成新的植株。
2 分芽繁殖：
盆裁3年以上的植株或部分秋石斛莖的頂部或基部長有小植株時，可以進行切芽繁殖。選擇具有3~4片葉，2~3條根，根長4~5厘米的小植株，從母株上切下，用草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口，將苗植入盆中即可。汪意要淺植。栽培2年後一般可開花成為商品花。
3 扦插繁殖：
扦插繁殖可以結合花後換盆和分株時一起進行。石觸蘭多具有細長、帶肉質的莖，莖上有許多節，節上能長芽，所以能用扦播繁殖。選擇未開花且較充實的整做播條，將技條切成數段，每段具2~3個節，在傷口上塗上草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口。將莖一段一段地插入苔蘚和泥炭混合的基質中，一半露在外面，放於半陰、潮濕處。插後1周不必澆水，然後經常噴霧保濕，適當遮陰。經過1~2個月，在節部有新芽長出，新芽下部長出2~3條小根形成新的植株。將新植株連向老莖一起上盆，栽培2~3年可開花。扦插時間以4~8月為好。
END
注意事項
栽培石斛通常選用四壁多孔的塑料或陶瓷花盆，用松樹皮塊、花生殼、鋸末、木炭塊等作盆栽材料。根據石斛苗的大小，選擇不同規格的花盆，但不宜用大盆栽小苗口上述栽好材料在使用前必需在清水中浸泡1天以上備用。盆底要多墊大瓦片或碎磚塊，深度至盆底約1/3處，然後將石斛苗放於盆中央，並在一旁插一細竹竿以固定石斛苗，再填入其他栽培材料，注意根與根之間用材料隔開，輕輕將材料壓緊口栽好的蘭盆先放在陰涼陰涼並有散射光處，僅向葉面上噴些水，勿向盆內澆水。約10~15天後，待萌發出新根後兩移至陰棚下養護。生長季節澆水要干濕相間保持適度干薄餅肥水。生長旺盛期樹每天澆水一次，乾旱季節和炎夏還需經常在花盆四周地面上噴水，以保持較高的空氣濕度，並要注意通風良好。冬季休眠期應少澆水。石斛忌強光直射，春秋兩季早上可見陽光，冬季可置光照充足處，其他時間置於具有明亮散射光而又通風的地方。越冬溫度保持在8~10℃即可。